Ushio stellt 660 nm Singlemode-Hochleistungs-Rotlaserdiode vor

Ushio präsentiert stolz eine neue 660-nm-Rotlaserdiodemit einer Ausgangsleistung von 200 mW Dauerstrich / 400 mW Impuls. Die Serie ist mit drei verschiedenen Anschlusstypen (CC, AC oder FN) erhältlich und trägt die Bezeichnungen HL65221DG, HL65222DG und HL65223DG.

Mit dieser neuesten Entwicklung haben die Ingenieure des japanischen Unternehmens Ushio Opto-Semiconductors, Inc. eine beispiellose Präzisionssteuerung für industrielle Sensorik, Messtechnik sowie medizinische und biologische Anwendungen erreicht. Die strukturierten Laser aus Aluminium-Gallium-Indium-Phosphid (AlGaInP) verfügen über einen schmalen Streifen mit verlustarmem Wellenleiter und haben ihre Langlebigkeit durch jahrelangen stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen unter Beweis gestellt.

Diese Hochleistungslaserdiode verfügt über eine integrierte Überwachungsfotodiode für die Laserwellenlänge. Ihr einzigartiges Design ermöglicht es Systemingenieuren, den Fotodiodenstrom zu überwachen und Leistungsvarianten sowie Temperatur anzupassen. Dies ermöglicht eine präzise Steuerung und stabile Leistung.

660-nm-Laserdiode bestätigt Ushios starken Einfluss auf die Technologie

Ushio entwickelt seine Technologie kontinuierlich weiter, um die individuellen Bedürfnisse seiner Kunden zu erfüllen. Das Unternehmen entwickelt Hochleistungs- und Hocheffizienz-Laserdioden, die eine längere Betriebsdauer bei konstanter Ausgangsleistung ermöglichen. Die reduzierte Wärmeentwicklung ermöglicht ein kompakteres Kühlsystem, und der geringe Stromverbrauch unterstützt Remote-Anwendungen wie Nivellierung und Entfernungsmessung.

Funktionen und Vorteile

• Hohe Ausgangsleistung (200 mW CW, 400 mW gepulst)
• Hohe Zuverlässigkeit
• Längere Lebensdauer (MTTF 10.000 h)
• Stabile Leistung durch integrierte Überwachungs-Fotodiode

Anwendungen für 660 nm HL65221DG / HL65222DG / HL65223DG

• Sensorik
• Optoelektronischer Sensor
• Entfernungsmessung
• Time-of-Flight-Sensor (TOF)
• Maschinelle Bildverarbeitung
• 2D-/3D-Scanning
• Biomedizin
• Gentests / Durchflusszytometrie

Neuartige In-Plane-Halbleiterlaser XIX präsentieren 200 mW CW und 400 mW gepulste Laserdioden bei SPIE Photonics West

Das Team hinter der Entwicklung präsentiert seine Ergebnisse erstmals bei SPIE Photonics West Opto im Moscone Center in San Francisco, USA. Ushio wird die neue Laserdiode am Montag, den 3. Februar 2020, um 14:40 Uhr im Rahmen der ersten Sitzung von „Neuartige In-Plane-Halbleiterlaser XIX“ offiziell vorstellen. Die Diskussion in Raum 306 (Ebene 3 Süd) wird von Professor Michael Kneissl, Geschäftsführender Direktor der Technischen Universität Berlin (Deutschland), geleitet. Ushio Europe wird am Stand von Ushio America, Inc. und Necsel durch unseren SSL-Vertriebsleiter Ardan Fuessman vertreten sein. Er steht Ihnen für weitere Fragen gerne hier zur Verfügung.

Weiterführende Literatur

Offizielle Pressemitteilung:

Veröffentlichung einer roten Laserdiode für Sensorik und biomedizinische Anwendungen